2
C4D20120D Rev. C
Figure
1.
Forward
Characteristics
00
22
44
66
88
1010
1212
1414
1616
1818
2020
0 0
0.50.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
1
1.5
2
2.5
)
3
3.5
I
F
Forward Current
Forward Voltage (V
VFForward VoltageV
F
(V)
Figure
2.
Reverse
Characteristics
00
0.0001100
0.0002200
0.0003300
0.0004400
0.0005500
0.0006600
0.0007700
0 500 1000 1500 2000
0
500
1000
1500
2000
I
R
Reverse Current (A)
Reverse Voltage (V
VRReverse Voltage)VR
(V)
VF
I
F
Forward Current (A)
VR
I
R
Reverse Current (μA)
Electrical Characteristics (Per Leg)
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.5
2.2
1.8
3
V
IF
= 10 A T
J=25°C
IF
= 10 A T
J=175°C
IR
Reverse
Current
30
55
250
350
μA
VR
= 1200 V T
J=25°C
VR
= 1200 V T
J=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
52
nC
VR
=
800
V,
IF
= 10A
di/dt
=
200
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
754
45
38
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
800
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:
1.
This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
0.85*
0.43**
°C/W
*
Per
Leg,
**
Per
Device
Typical Performance (Per Leg)
TJ=-55°C
TJ=
25°C
TJ=
75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
TJ=-55°C
TJ=
25°C
TJ=
75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
I
F
(A)
I
R
(μA)
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